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      FT-CZ1200Se

      8英寸半導體級單晶爐

      拉晶過程全程自動化

      在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

      用直拉法生長無位錯單晶的設備。

       

      性能優勢

      設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

      具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

      采用新型隔離閥。

      液面高度監控系統。

      高精度傳動機構。

      雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

      8英寸半導體級單晶爐
      型號 FT-CZ1200Se
      場所 周圍溫度 15~30℃
      周圍濕度 ≤65%(無結露,腐蝕氣體)
      潔凈度 10000級凈空房
      噪音 ≤75db
      地基 3000kg/㎡以上
      電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
      額定電容 320kVA
      額定流量 500A
      冷卻水 流量范圍 350~400L/min
      供給壓力 0.3~0.4MPa
      重量 設備高度                                                                       <8290mm                                                            △     
      設備重量 約23T

       

       

      △ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場。

      全國熱線

      021-36162928

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