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      FT-CZ1806Se

      6英寸半導體級單晶爐

      拉晶過程全程自動化

      在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

      用直拉法生長無位錯單晶的設備。

       

      性能優勢

      設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

      具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

      采用新型隔離閥。

      液面高度監控系統。

      高精度傳動機構。

      雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

       

      如需獲取6寸半導體級單晶爐具體數據,請向漢虹銷售工程師咨詢溝通。

        

      全國熱線

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